2026年9月20日，長鑫科技於世界製造業大會正式宣布其第五代DRAM技術平台（G5平台）實現量產。該平台採用先進的四重曝光（Quadruple Patterning）ArF浸沒式DUV製程，技術特徵尺寸達11.95納米的有源區半間距，核心功能區高度降至6762納米，同時電容深寬比達45:1，大幅提升了存儲密度與性能。
相比第四代平台，G5平台每片晶圓裸片數提升至少50%，意味著同等晶圓可以切割出更多晶粒，降低單位資料位元成本，增強長鑫科技在存儲器市場的成本競爭力。基於該平台打造的24Gb LPDDR5X產品已進入規模量產，廣泛應用於中國大陸主流旗艦手機，並提供12GB、16GB、24GB以至32GB多種容量方案，傳輸速率涵蓋8533至10677 Mbps，滿足多樣化中高階智慧型手機及消費電子需求。
值得一提的是，長鑫G5平台突破傳統DRAM需依賴EUV光刻的瓶頸，完全依靠多重曝光的DUV工藝實現16納米級芯片量產，證明國內存儲器技術已具備相當先進水平，為產業自主化與供應鏈安全提供堅實支撐。此外，長鑫亦已實現全球首款LPDDR6芯片量產商用，首發搭載於小米18 Fold折疊旗艦手機，顯示其在高階低功耗記憶體領域持續取得技術領先。
從市場格局角度觀察，長鑫存儲身為全球第四大DRAM製造商，2026年第一季營收較去年同期成長超過700%，毛利率達70%，以約7%的全球市佔穩固其競爭地位。此舉對以三星電子、SK海力士及美光科技為首的全球三巨頭形成實質挑戰，尤其是在通用型DRAM領域，長鑫的技術進步及產能擴張將推動價格競爭，抑制三巨頭供應收縮策略的定價能力。
同時，全球記憶體市場因AI算力及智慧終端升級需求，整體需求持續強勁。三星憑藉HBM4量產與通用DRAM持續領先市場，佔有接近39%市場份額；SK海力士雖維持高營收但份額遭壓縮至26%，美光則以約25%緊追不捨。隨著長鑫市佔率上升，市場格局呈現多強競爭態勢。
綜觀未來，G5平台量產標誌著長鑫科技不僅在先進製程上取得突破，也在提升產能與降低成本方面具備優勢，將持續加速國產DRAM在全球市場的滲透。伴隨AI及新興應用推動記憶體需求增長，產業競爭與技術創新勢必升級，長鑫科技的發展將成為市場關注焦點。
參考資料：長鑫科技官方公告、2026世界製造業大會報導、華爾街見聞、工商時報、中國科技媒體綜合報導、Counterpoint Research DRAM市場分析
市場重要性與影響評估： 高影響 — 長晶科技宣布第五代DRAM（G5）技術平台量產，標誌著中國DRAM製造技術重大突破，挑戰全球記憶體市場格局。
影響範圍： 全球 — 涉及全球DRAM供應鏈與市場競爭，包括三星、SK海力士、美光等三大巨頭。
影響時長： 中長期（3-12個月及12個月以上） — 技術量產與產品推廣持續推動市場結構變化與價格競爭。
市場敏感度： 部分已反映於市場，但長晶技術路線及產能擴張潛力仍被低估。潛在市場影響：
- 長晶G5平台採用四重曝光DUV工藝，未依賴EUV光刻，實現11.95納米先進製程，提升晶圓裸片產量至少50%，有效降低單位成本，增強成本競爭力。
- 基於G5平台的LPDDR5X及全球首款LPDDR6產品已進入量產，獲得小米、努比亞等手機品牌採用，鞏固其在中高端移動存儲市場地位。
- 隨著三星、SK海力士等三大巨頭產能向HBM和伺服器DDR5傾斜，長晶搶占通用DRAM市場空缺，市場份額快速攀升，2026年第二季全球市占約9.5%-10%。
- 全球DRAM市場因AI及智慧終端需求持續強勁，供需緊張態勢延續，長晶擴產及技術突破將加劇市場競爭，壓制三大巨頭價格空間。
- 長晶的技術進步與量產能力提升，推動中國存儲產業自主可控及供應鏈韌性，對全球記憶體產業格局產生結構性影響。
風險：
- 長晶G5平台雖達先進製程水平，但依賴多重曝光替代EUV，良率及長期成本優勢仍待市場檢驗，技術風險存在。
- HBM及伺服器高端DRAM領域仍由三大巨頭掌控，長晶在高階市場的突破尚未明朗，限制其整體獲利能力提升。
- 全球DRAM市場高度週期性，價格波動及供需變化可能影響長晶利潤及市場擴張節奏。
- 國際政治及貿易環境不確定性，可能影響長晶技術引進、設備採購及海外市場拓展。
其他觀點：
- 部分分析師認為長晶的技術路線為“錯位補位”，專注於通用DRAM市場，避免與三大巨頭直接競爭高階HBM市場，策略務實且符合產業現實。
- 市場對長晶LPDDR6的全球首發量產高度關注，視為中國存儲產業技術追趕的重要里程碑，將推動更多下游應用落地。
- 部分專家指出，長晶的數字孿生系統及工藝創新，有望縮短研發周期並提升良率，為其未來技術升級奠定基礎。
備註：
- 本分析僅供參考，不構成投資建議。