美銀對超過10家存儲芯片製造商及供應鏈企業的最新交流顯示，來自中東的突發事件對全球存儲芯片供應鏈影響甚微。
2024年2月銷售數據驚人，預示該行業利潤率將大幅提升。最新研究報告指出，存儲行業正處於所謂的「超級周期」期間。
其中，中東產生的衝擊幾乎為零，主要原因是存儲芯片產業鏈在亞洲地區內循環密集。
報告指出，DRAM及NAND的需求依舊強勁，遠遠超過當前產能水平。韓國2月半導體出口比去年同期大增161%，中國台灣的南亞科技2月銷售額則較去年同期成長587%，印證了這一判斷。
中東危機影響有限，需求持續超越供給
美銀本週對超過10家存儲芯片製造商及供應鏈企業討論中東衝擊，所有訪談對象均表示，中東事件對其業務幾乎沒有實質性干擾。
原因在於存儲芯片產業鏈高度集中於亞洲，生產端超過95%位於亞洲，而半導體設備則主要來自亞洲、美國及歐洲，設備多以空運形式運送，無需經過霍爾木茲海峽。
在分銷端，以亞洲為核心，尤其是AI服務器所需的HBM記憶體，由韓國生產後運至中國台灣進行封裝與ODM。
儘管部分廠商擔憂中東局勢可能拖累長期需求，但目前DRAM與NAND需求均旺盛，且遠超現有產量。廠商正積極商討長期協議（LTA），鎖定多年期平均銷售價格（ASP），顯示對未來景氣信心頗高。
就價格數據而言，DRAM現貨價格本週整體穩定，但較上季仍高出逾50%；NAND現貨價格受持續短缺預期影響，本週大幅上漲約10%（環比周漲幅）。
具體而言，16Gb DDR5現貨價格約為39.3美元，同比上漲近7%；16Gb DDR4現貨價格高達77.2美元，環比漲幅約25.3%。
2月銷售數據展現強勁超級週期態勢
報告指出，2月銷售數據令美銀團隊感到「驚喜」，各項指標均大幅超出預期：
- 韓國半導體出口額達252億美元，年增161%，再創歷史新高，較1月環比增長22%；
- 中國台灣及南亞科技2月銷售額年增587%，實現連續7個月三位數同比增長，主要受DDR4及DDR5價格大幅漲動推動。
美銀團隊指出，如此強勁的營收增長主要得益於傳統存儲芯片DDR4、DDR5、NAND價格上升及產品結構優化（HBM3e及企業級SSD佔比提升）共同推動。
在此背景下：
- DRAM業務平均營運毛利率有望輕鬆突破60%；
- NAND業務平均營運毛利率有望超過30%；
- 隨著DDR5新合約價格持續上升，3月銷售額、出口額及毛利率預計均將進一步超越2月。
考慮到ASP預計持續上漲（包含DDR5新合約價格），3月份銷售、出口與毛利率極有可能優於2月。
美銀明確表態：「這顯然是一個超級週期。」
參考資料：美銀分析報告、SEMI半導體設備市場數據、中國及台灣半導體產業報告、韓國貿易統計局數據
市場重要性與影響評估： 高影響
影響範圍： 全球，重點涵蓋亞洲（中國、台灣、韓國）、美國及歐洲市場
影響時長： 中期（3-12個月）至長期（12個月以上結構性趨勢）
市場敏感度： 部分已反映於價格上升，但整體供應鏈結構變化及地緣政治影響仍被低估潛在市場影響：
- 2024年2月全球半導體銷售額創歷史新高，尤其是DRAM與NAND Flash需求強勁，推動價格大幅上漲，帶動記憶體產業利潤率顯著提升。
- 亞洲地區（尤其中國、台灣及韓國）半導體產業鏈高度集中，儘管面臨地緣政治壓力，但仍維持供應鏈穩定，成為全球半導體供應的核心樞紐。
- AI伺服器對高階記憶體（如HBM）的需求持續爆發，促使高價產品佔比提升，帶動整體記憶體市場結構優化與升級。
- 半導體設備市場亦隨著產業景氣回溫，預計2024年下半年起設備投資將加速，形成新一波產業成長動能。
- 台灣半導體產業因應美國出口管制及地緣政治風險，積極調整供應鏈布局，強化自主生產能力，長遠有助於提升產業競爭力與韌性。
風險：
- 全球地緣政治緊張，特別是美中科技競爭及出口管制，可能導致供應鏈中斷或成本上升，影響產業供應穩定性。
- 消費市場需求仍存在不確定性，尤其智慧型手機與個人電腦市場疲軟，可能使部分記憶體需求回落，對價格形成壓力。
- 價格上漲帶來的利潤提升可能引發產能過度擴充，未來若需求轉弱，可能導致產能過剩與價格波動加劇。
- 半導體製造技術快速演進帶來的資本支出壓力與技術風險，可能影響部分廠商的競爭力及市場份額。
其他觀點：
- 部分分析師認為，儘管短期價格上漲已部分反映市場預期，但長期來看，AI及高效能運算推動的結構性需求增長仍被低估，將成為記憶體市場持續成長的關鍵。
- 從供應鏈角度看，亞洲半導體產業鏈的高度集中在短期內難以改變，但中長期可能促使更多國家加速推動半導體自主化及多元化策略。
- 設備投資的回溫不僅反映產業景氣復甦，也顯示業者對未來技術升級及市場需求的信心，將推動半導體產業進入新一輪技術革新周期。
備註：
- 本分析僅供參考，不構成投資建議。