得益於人工智能浪潮推動高性能計算急速擴張，韓國SK海力士在高帶寬寬頻內存（HBM）領域展現出明顯優勢，首次在季度營收上超越老牌龍頭三星電子，成為全球最大的內存製造商。
三星電子公布的季度業績顯示，截至今年6月的三個月內，涵蓋DRAM和NAND的內存業務營收為21.2萬億韓元（約152億美元），低於一周前SK海力士公布的21.8萬億韓元，標誌著SK海力士首次登頂公司歷史的內存市場首位。
這一變局主要受到AI晶片巨頭英偉達等客戶對HBM強勁需求的帶動。市場研究機構Counterpoint Research的數據顯示，SK海力士目前掌握了占全球超過62%的高性能HBM出貨額，而三星僅佔17%，且三星仍在努力爭取成為英偉達HBM產品的主要供應商。
面對市場佔有率下滑，三星正在籌劃更具攻擊性的市場策略，有報導稱三星可能對其HBM3E產品進行降價以吸引關鍵客戶。三星也承認，由於供給過剩超越需求增長，HBM產品面臨著價格壓力，這可能迫使整個市場迎來新一輪價格戰，直接影響投資者對行業前景的預期。
HBM市場主導權易主，三星尋求價格戰突圍
SK海力士與三星在高帶寬寬頻內存市場的分化始於2024年上半年，其根本原因在於市場對HBM需求的激增。HBM通過將多塊DRAM芯片垂直疊加，實現傳統內存無法比擬的數據處理速度，成為AI大規模運算的重要組件。
Counterpoint研究負責人Hwang表示：
「我們剛剛看到SK海力士首次成為整體內存市場的最大轉變。」
他補充稱，這一分化完全由英偉達AI產品及其配套HBM需求推動。
對三星來說，第二季度業績敲響警鐘。公司財報顯示，其芯片業務營業利潤遭遇高達94%的斷崖式下滑。三星雖已與特斯拉達成165億美元的芯片供應談判，並取得包括AMD在內客戶的選用，但尚未能突破英偉達的HBM領先供應鏈壁壘，此一直是其最大痛點。
為突破僵局，三星似乎準備動用價格武器。據ZDNet報道，三星在財報電話會議上表示：
「受供給增加超過需求增長速度影響，HBM產品預計將在短期內受到價格波動衝擊。」
市場風險提醒與免責聲明提示投資者需謹慎。本文非個人投資建議，投資需根據自身財務狀況理性判斷，風險自負。
AI晶片產業對HBM的旺盛需求，帶動SK海力士引領HBM產能擴張。SK海力士通過裝配12層HBM3E產品擴大生產能力，與其他競爭者共同領跑此波技術新浪潮。
另一邊，Micron正積極強化HBM集成研發，降低週期性風險，此策略體現出行業創新和合作日益深化，為HBM市場的可持續增長奠定基礎。
全球HBM市場份額由SK海力士、三星及美光三大巨頭掌握，SK海力士預計2024年底HBM月產能達12萬片，接近三星的13萬片，美光約2萬片，顯示韓企在先進製程和HBM產品迭代方面的競爭優勢。
隨著面向AI及高性能計算的需求爆發，HBM成為內存市場爆發增長核心動力，市場規模預計從2024年至2029年期間年均複合增長率達26%，2029年市場規模將突破170億美元。
SK海力士積極推動HBM下一代產品HBM4的研發，計劃於2025年中或年末推廣，攜手台積電等半導體先進製程合作夥伴，繼續保持HBM市場領先地位並推動技術革新。
總結來看，SK海力士憑藉在AI領域的重要布局及技術優勢，成功逆轉內存市場格局，三星則試圖透過價格策略重振HBM市場份額，全球HBM產業鏈的競爭與合作將持續影響未來半導體內存市場的發展趨勢。
參考資料：Counterpoint Research報告、TrendForce數據、IDC市場分析、SK海力士及三星公開財報與業界新聞匯總
市場重要性與影響評估： 高影響 — SK海力士首次在2024年第二季超越三星，成為全球內存市場龍頭，主因為人工智能晶片推動高頻寬記憶體（HBM）需求急增，並且SK海力士成功量產12層HBM3E產品，顯示市場結構性轉變。三星則面臨HBM認證延遲及價格戰壓力，Micron積極加碼HBM研發及產能，三大巨頭競爭加劇。
影響範圍： 全球 — HBM市場為全球半導體核心細分市場，涉及韓國、美國及中國等主要半導體製造業體。
影響時長： 中長期 — 3至12個月至12個月以上，HBM市場預計2024年至2029年年複合成長率約26%，結構性成長趨勢明顯。
市場敏感度： 部分已反映但仍被低估 — SK海力士已反映其市場領先地位，但三星價格戰及Micron快速擴張仍可能帶來市場波動和重估空間。投資策略：
- 短線（0-3個月）：關注SK海力士（KRX:000660）持續推動HBM3E量產及財報表現，利用其市場領先優勢參與短期反彈機會。
- 中線（3-12個月）：配置以AI晶片及高性能運算需求為核心的半導體ETF，如ICE Semiconductor ETF (SOXX)，受惠HBM需求爆發及產能擴張。
- 長線（12個月以上）：布局Micron Technology (NASDAQ:MU)及SK海力士，押注其在HBM4及下一代高階內存技術的研發投入與市場份額擴大，預期受惠AI及數據中心長期需求增長。
風險：
- 價格戰風險：三星計劃透過HBM3E降價策略搶占市場，可能壓縮整體毛利率及市場利潤空間。
- 技術與認證風險：三星HBM產品認證延遲，若未能快速補足技術缺口，可能失去市場份額。
- 宏觀經濟及地緣政治風險：全球供應鏈不確定性及中美科技競爭可能影響產能擴張與市場需求。
其他觀點：
- 部分分析師認為三星短期內仍有反彈空間，特別是其在DRAM及NAND高端產品的技術積累。
- Micron積極擴充美國本土產能及研發，符合美國半導體政策支持，長期有望受惠於地緣政治驅動的供應鏈重組。