受益於AI服務器對DRAM需求的意外強勁及企業級固態硬盤（eSSD）需求的激增，全球內存行業的“超級週期”將持續比預期更長，預計至少延續至2027年。
根據野村分析師CW Chung團隊於2024年12月24日發布的報告，不僅高帶寬內存（HBM）需求持續旺盛，通用型DRAM在AI服務器及傳統服務器領域的需求同樣在2026年呈現爆發性增長態勢。
這促使客戶開始採取預防性採購策略，推動供應商提價幅度超出野村此前預估。由於供應端大規模產能釋放最早需等到2028年，野村預計未來幾年內存市場將維持供不應求局面。
具體來看，野村預計主要內存廠商2025年第四季度的營業利潤將顯著超出市場普遍預期。以PC及移動端DRAM為例，價格環比漲幅達30-40%，服務器DRAM價格增幅更在40-60%。
野村亦重申對三星電子和SK海力士的“買入”評級，目標價分別上調6.7%至160萬億韓元，及4.8%至88萬億韓元，認為兩大廠的估值仍具相當吸引力，且隨營收能見度改善，股價仍有45%-50%的上漲空間。
AI需求重塑市場格局
野村認為，AI技術對內存市場的重塑作用遠超預期。雖然近期市場對AI資本支出存在憂慮，但全球AI公司數據中心擴張計劃並未放緩，反而超出預期。
除了HBM需求的強勁外，通用型DRAM在2026年的需求預測同樣令人驚喜。這種強勁需求不僅來自AI服務器，也來自非AI服務器對SSD的需求激增。野村指出，由於需求激增，內存客戶已開始進行戰略性庫存儲備，賦予供應商更高的定價權。
相比之下，供應端的反應則相對滯後，預計最早要到2028年才會出現有意義的供應增加。野村判斷，這種供需錯配是其“超級週期”至少持續至2027年的主要依據。
野村強調，通用存儲晶片的盈利能力正迅速追趕甚至可能超越HBM。儘管此前市場焦點主要集中在HBM，但野村估計三星電子和SK海力士的通用存儲業務盈利能力已經超越或正接近自家HBM業務。
具體數據顯示，消費類產品（PC及移動端）DRAM價格環比上漲30-40%，服務器DRAM價格環比漲幅高達40-60%。在NAND領域，雖然移動應用價格增幅相對緩和，但企業級SSD價格在2025年第四季度預計環比將上漲30-40%。基於此，野村認為此前對2025年第四季度通用DRAM平均價格環比增長25%的預測偏保守。
供應短缺與產品組合優化持續至2027年
在供應方面，野村認為短缺狀況將持續至2027年。儘管市場投資者密切關注內存廠商的產能擴張，但考慮到新建工廠、擴廠及升級計劃的長周期，大規模產能釋放需要時間。
此前，內存企業主要將產能配置於HBM，但隨著通用存儲晶片盈利率快速提升，野村預計廠商將更靈活地生產通用產品。這種策略不僅能最大化利潤，也會強化廠商在未來與ASIC客戶談判HBM價格的議價能力。
野村特別提到三星電子將更多專注於通用產品和為英偉達生產HBM4，SK海力士和美光也將根據自身優勢擇機採取靈活的產品組合策略。
上調三星及SK海力士盈利預期
- 三星電子：野村將其2025年第四季度營業利潤目標上調22%至21.5萬億韓元，2026年營業利潤目標上調21.5%至133.4萬億韓元（遠高於鴻海一致預期的93萬億韓元）。野村認為，三星將受益於韓元疲軟與強於預期的通用DRAM價格上漲，2025年第四季通用DRAM的營業利潤率預計大幅超過HBM。
- SK海力士：將其2025年第四季度營業利潤預期上調8.2%至17.5萬億韓元，2026年營業利潤預期提升9.7%至109萬億韓元。野村預計，從2025年第四季開始，SK海力士的通用DRAM營業利潤率將超過HBM，整體DRAM營業利潤率將提升約66個百分點。
野村認為，當前三星與SK海力士的股價估值倍數仍低於其內存同行，隨著企業積極回饋股東政策及釋放法律資本支出，兩家公司有望迎來估值重估。
參考資料：野村證券CW Chung團隊報告、三星電子財務數據、SK海力士財報、IDC報告、TrendForce數據、Micron財報、Gartner市場預測
市場重要性與影響評估： 高影響
影響範圍： 全球，尤其聚焦南韓（三星電子、SK海力士）、美國（美光、英偉達）及中國市場
影響時長： 中長期（3-12個月至12個月以上結構性趨勢）
市場敏感度： 事件部分已被市場預期（如DRAM整體需求回升），但AI帶動的HBM及企業級SSD需求激增尚屬低估，存在顯著上行空間潛在市場影響：
- AI技術推動伺服器對高性能記憶體（特別是HBM及企業級SSD）的需求大幅增加，預期內存市場將延長超級週期至2027年，推升整體DRAM和NAND Flash價格及產值。
- 三星電子與SK海力士等主要記憶體巨頭因應AI需求，積極擴充HBM產能，2024-2025年HBM產能及銷售額預計大幅成長，將成為推動企業獲利的重要驅動力。
- 內存價格在2024年已見明顯回升，DRAM價格有望上漲約53%，2025年持續增長約35%，NAND Flash價格亦有穩健提升，反映供需緊張局面。
- 供應鏈端面臨產能釋放速度不及需求增長的挑戰，尤其是HBM等高端產品供應短缺，將推升價格並促使廠商加速產能投資。
- 中國市場積極推動DDR5及HBM產能擴張，對全球供應鏈格局產生影響，南韓及美國廠商持續保持技術領先優勢。
- AI驅動的記憶體需求不僅限於伺服器，PC、手機等終端產品也將同步提升內存容量與性能，帶動整體內存市場結構性成長。
風險：
- 供應鏈產能擴張速度若超過需求增長，可能導致價格波動及庫存壓力，影響廠商獲利能力。
- 地緣政治及貿易政策風險，尤其美國對中國科技限制，可能影響供應鏈穩定與市場布局。
- AI技術及應用發展速度若不及預期，可能削弱對高性能記憶體的需求增長動能。
- 終端市場需求波動，如消費電子需求減緩，可能影響整體內存市場需求。
其他觀點：
- 部分分析師指出，AI帶動的HBM需求激增將重塑記憶體市場結構，推動技術升級與產品差異化競爭。
- 亦有觀點認為，隨著DDR5及PCIe 5.0等新技術普及，整體內存市場將進入新一輪性能與容量提升週期，長期利好供應商。
- 部分專家提醒，市場價格波動仍存不確定性，企業需靈活調整產能與庫存策略以應對市場變化。
備註：
- 本分析僅供參考，不構成投資建議。