人工智慧（AI）基礎設施投資熱潮正重塑全球記憶體晶片的採購模式。微軟與Google正計劃與韓國記憶體大廠SK海力士簽訂前所未有的三年期DRAM長期供應合約，協議不僅涵蓋價格底價保障，還首次引入預付定金機制，此舉為晶片業界歷史性的突破。
根據韓國業界消息，SK海力士與微軟針對DDR5記憶體的長期供應合約（LTA）最終條款已接近完成，三年合約自2026年起生效，合約規模高達數十兆韓元。雙方正在討論的核心條款包括：設定價格下限以防止合約期間DRAM單價大幅下跌，以及要求買方支付合約總額10%至30%作為預付款。
此外，SK海力士也與Google就高頻寬記憶體（HBM）及伺服器用通用DRAM的長期供應展開協商。業內人士指出，此次合約最大的創新在於超大型雲端服務提供商願意預付定金，這在過去極為罕見，使得微軟與Google得以在產品交付前向供應商支付巨額資金，進而提前鎖定收入並分散投資風險。
長期供應合約是一種提前鎖定採購量與價格的合約，通常僅在供應緊縮或價格急漲時使用。記憶體晶片價格波動劇烈，傳統買家多以季度為單位簽約，長期合約過去極為罕見。此次合約在期限和結構上雙雙突破傳統慣例。
供給緊缺與價格飆升趨勢令「物量優先」成為業界共識。DRAM固定交易價格已連續11個月上漲，DDR4合約價從2025年3月每片1.35美元飆升至2026年3月底的13美元，漲幅近十倍。市場預期，三星電子和SK海力士2026年第一季業績將創歷史新高，反映出強勁的市場需求與價格動能。
長約結構史無前例：預付定金成最大亮點
此次三年期協議中引入的預付定金條款，為雙方帶來資金與價格保障，買方需提前支付合約總額10%至30%的訂金，協助供應商提前安排產能投資及生產規劃。同時，合約中設有價格下限保障，為賣方免除價格回落的風險。
微軟與Google亦同步與三星電子展開類似長約談判，而全球排第三的DRAM廠商美光也已完成類似合約簽署，顯示長約浪潮已全面展開，成為記憶體產業新的標準。
AI引爆供應焦慮，記憶體需求激增
隨著全球AI基礎設施投資持續升溫，對高性能記憶體的需求劇增。DRAM及高頻寬記憶體（HBM）供應短缺成為瓶頸，迫使頭部科技企業調整採購策略，從過去的價格優化轉向優先鎖定物量，並願意承擔較高的價格與資金成本，以保障供應穩定。
有業內高階主管表示，當前問題不僅是價格上漲過快，更是DRAM物量本身極難取得，供應持續緊張，價格連月飆升，推動市場整體進入史無前例的超級周期。
三星與SK海力士積極擴產迎戰
面對供應短缺，三星電子及SK海力士均已部署新一輪產能擴充計畫。三星加快京畿道平澤主要DRAM生產基地10奈米級1c工藝HBM4產品產能提升，並推進華城園區SOCAMM及通用DRAM模組生產線轉換。SK海力士則重點投資清州M15X新廠區應對HBM需求增長，並加速京畿道利川總部園區DRAM先進工藝遷移。
財務表現亮眼 業績預計創新高
DRAM供應短缺直接惠及三星電子與SK海力士財務業績。根據多家券商與分析機構預測，2026年第一季兩家公司營收與營業利潤均將倍增。Meritz Financial Group預估三星第一季營收122兆韓元，營業利潤54兆韓元，SK海力士第一季營收約46.6兆韓元，營業利潤31.6兆韓元，均遠高於去年同期。
市場分析師普遍認為，長期供應合約與預付定金條款帶來的現金流改善，將提升晶片製造商業績能見度，為韓國半導體板塊提供堅實基礎，助力應對未來價格波動與需求變化挑戰。
結論
微軟與Google攜手SK海力士簽署三年DRAM長期供應合約，不僅打破過去短期採購常規，首次導入價格保底及高額預付定金機制，開創記憶體產業新局。此舉也反映出全球AI技術高速發展下對記憶體晶片巨大且持續的需求，將推動半導體產業結構與採購策略走向更長期、穩健發展新時代。
參考資料：
- 鉅亨網，《搶SK海力士記憶體產能！微軟、Google傳簽長約、預付30%「訂金」》，2026年4月
- 新浪財經，《微軟谷歌爭相與SK海力士簽署長期DRAM協議》，2026年4月
- 華爾街見聞，《微軟谷歌爭相與SK海力士簽署長期DRAM協議》，2026年4月
- 科技新聞網站，關於三星電子長約計劃與市場分析，2026年3月
- ASEAN Taiwan Studies Center，《受益AI發展，韓國晶片製造商SK海力士獲益首次超越三星电子》，2025年1月
市場重要性與影響評估： 高影響
影響範圍： 全球
影響時長： 中長期（3-12個月及12個月以上）
市場敏感度： 事件目前已部分反映於市場價格，但預付訂金及價格保底機制等創新條款尚屬市場新知，整體影響仍被低估。
潛在市場影響：
- 微軟與Google與SK海力士簽訂三年期DRAM長期供應合約，並首次引入價格底價保障及10%-30%預付訂金機制，顯示全球AI基礎建設擴張推動記憶體需求持續強勁。
- 長約模式的推廣將改變記憶體產業採購邏輯，從過去以價格優化為主，轉向優先確保供應量，進一步鞏固供應商收益穩定性及資金流。
- DRAM價格已連續11個月上漲，DDR4合約價從約1.35美元飆升至13美元，漲幅近10倍，反映供需失衡及產能緊張狀況。
- SK海力士及三星電子積極擴產HBM及通用DRAM產能以因應需求，預期2026年第一季兩家公司營收與營業利潤將創歷史新高，反映產業景氣熱絡。
- 長期供應合約可能拉長DRAM需求周期，對個人電腦市場供應造成壓力，價格居高不下的情況可能持續數年。
- 記憶體晶片正從周期性商品轉變為AI時代的戰略性資源，科技巨頭願意承擔更高資金成本以確保供應，反映產業結構性變革。
風險：
- 長期合約及預付訂金機制雖降低供應商風險，但若AI需求未達預期，買方可能面臨價格過高及庫存風險。
- 記憶體價格持續高漲可能壓縮終端消費電子產品利潤，導致下游市場需求受抑，形成負向反饋。
- 新產能最早於2027年底至2028年才能釋放，供應瓶頸短期難以緩解，價格波動風險仍存。
- 全球地緣政治及供應鏈不確定性可能影響產能擴張及合約履行。
其他觀點：
- 部分市場分析師認為，長約及預付訂金機制是記憶體產業結構性轉變的標誌，將提升產業獲利能見度及資本效率。
- 亦有觀點指出，雖然AI帶動需求，但技術進步如Google TurboQuant等壓縮演算法，長遠仍可能抑制記憶體需求增速，需持續觀察。
- 美光科技已率先完成類似長約，顯示此模式將成為全球記憶體產業趨勢，帶動整體產業鏈調整。
備註：
- 本分析僅供參考，不構成投資建議。